Dvigatellarni boshqarish texnologiyasini rivojlantirish tendentsiyasi
4.1 Yuqori xavfsizlik
Energiya tejamkorligi: SBC + MCU monitoring arxitekturasi, yuqori voltli zaxira quvvat manbai, xavfsizlik bilan bog'liq haydovchi chipi, IGBT xatoining to'liq diagnostikasi, mustaqil uzilishni to'xtatish yo'llari, mustaqil ADC kanalining uzatuvchi signalini dekodlashi, yuqori sifatli ikki kanalli, kuchlanish namunasi, turli xil sifatli uch fazali oqim zali sensori amal qiladi.
4.2, yuqori EMC reytingi
Endi mahsulotning ikkinchi avlodi sinf 3, sinf 4 va keyinchalik EMC sinflarni5 bajarishi mumkin, bu esa kichik o'lchamli va arzon narxlardagi chora-tadbirlarni talab qiladi. EMC yadrosidagi innovatsion yangilik joylashtirilgan: yaxshiroq filtrlash echimlari bilan, arzon narxlardagi EMC qurilma narxlari yuqori darajali EMM talablariga javob beradi. EMC sinf 5 talab qilsa, miqyosi darajasi 5% dan kam va qiymati 50RMB dan kam.
Rivojlanish tadqiqot tarkibiga quyidagilar kiradi: "Elektron boshqaruv + vosita" tizimi EMC yechimi, yadro qurilma EMC xususiyatlari tadqiqoti va hal etish, "Elektron boshqaruv + vosita" tizimi EMC simulyatorli platformasi.
4.3, yuqori bosim
Asosan minadigan avtomobillar uchun, hozirgi kuchlanish odatda 300-400V atrofida bo'lib, kelajakda yuqori kuchlanishga olib kelishi mumkin. Supero'tkazuvchi tezkorlik va quvvat talabi kuchayishi elektr transport vositalarining yuqori kuchlanishi uchun ichki kuchlanish kuchlari hisoblanadi. Zaryadlanish zo'riqishida 400V dan 800Vgacha kuchaytirilsa, zaryadlash vaqti yarimga qisqartirilishi mumkin. Ushbu buyumlar yangilanishi kerak, kelajakda elektr asboblari mashhur bo'lib qoladi va yuqori kuchlanish rivojlanish tendentsiyasidir. Ushbu tendentsiyaga mos keladigan invertorlar dizayni 650V IGBT dizaynidan 750V va 1200V IGBT ga ko'tariladi.
4.4, yuqori quvvat zichligi
Paket nuqtai nazaridan an'anaviy foydalanishga qulay modullar kvadrat g'ishtlarga, ultra yupqa shakllarga va oxirgi marta yaltiroq DBC / chip shakllariga aylandi. Paketning hajmi pastki derazadan miniatürizatsiya qilinadi. 2018-yilda yoki kelajakda 2013-yilgi hajmning 1/10 qismiga erishish mumkin.
Chip o'lchamidan E3 chipi kabi yuqori rentabellikga va yuqori ishchi birikma haroratiga qadar, operatsion kontseptsiyasi harorati 150 ° C, EDT2 yonga birikmasi harorati 175 ° C ga oshirilishi mumkin, shisha silikon karbid yonga birikmasi harorati 175 ˚ C, agar E2 chip kuchining yo'qolishi 1 bo'lsa, ikkinchidan, ikkala kuch yo'qotishlari navbati bilan 0,8 va 0,3 dan 0,5 oralig'ida. SiC qurilmalaridan foydalanish svetodiodlarni yo'qotishlarni kamaytirish, tizim samaradorligini oshirish, o'lik vaqtni kamaytirish va tizim ishlab chiqarish hajmini oshirish imkonini beradi. Akkumulyator va nazorat moslamasining umumiy qarashidan umumiy xarajat 5% ga kamaydi va kruiz oralig'i butun avtomobil uchun 10% ga oshdi. SiC qurilmalari yordamida umumiy samaradorlikni oshirish mumkin.
Qurilmalar ishlab chiqarilishi va qadoqlash texnologiyasini ishlab chiqishda xarajatlarni bashorat qilish asta-sekin kamayadi.
Mahsulotning o'lchamlari bo'yicha, hippokampni etkazib berish uchun nazorat qiluvchi 18 kVt / L ga erishishi mumkin, va ikkinchi yo'lovchi avtomobil nazorat birligining quvvat zichligi 26kVt / L bo'lishi mumkin. Eng so'nggi yo'lovchi avtomobil tekshirgichi 35 kVt / l ni tashkil qilishi mumkin. Kelajakda, SiC materiallari 45 kVt / L kuch zichligiga erishishi kutilmoqda.
4,5, qurilma integratsiyasi va sozlash
Funktsional jihatdan xavfsiz, yuqori darajada integratsiyalangan:
Funktsional xavfsizlik, yuqori chastotalar:
Drayv izolyatsiya IC: ishlab xavfsizligi, yuqori integratsiya:
Model kondansatörleri yuqori darajada tayyorlangan, hatto EMC'yi model kondansatörlerinde integratsiya qilgan. Misol uchun, kelajakda tekshiruvchining EMC Y kondansatörü, alohida taxtasi integratsiya qilinadi. Bu vosita boshqaruvchisining o'zi va kelajakdagi tizim ham integratsiyaga to'g'ri keladi.
Agar elektr dastgoh vositasini sotib olishni istasangiz, iltimos, elektr asboblari Dc vositasiga e'tibor bering.
